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SiS452DN
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
0.00 8
0.006
I D = 20 A
T J = 125 °C
10
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.004
0.002
T J = 25 °C
1
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0.000
0
2
4
6
8
10
1. 8
1.6
1.4
1.2
1.0
0. 8
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
I D = 250 μ A
50
40
30
20
10
0
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
10
100
600
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
Time (s)
Single Pulse Power (Junction-to-Ambient)
100
Limited b y R DS(on) *
1 ms
10
10 ms
100 ms
1
1s
10 s
0.1
T A = 25 °C
DC
0.01
Single P u lse
BVDSS
0.01
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 65705
S10-0215-Rev. A, 25-Jan-10
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